MEMS cantilever Type

採用半導體製造工程的精密MEMS技術,構成3D MEMS Cantilever Probe,可降低雜訊且擁有相當優秀的電性特性, 應用於RFID和CMOS Image Sensor等產品。

可將同時檢測之chip数量最大化,大大提升客户的wafer test效率,特别在CMOS Image Sensor高集成,高效率probe card市场處於領導地位。


世界首位開發64 Site CMOS Image Sensor MEMS probe card
世界首位開發 169 Site FWC(Full Wafer Contact) type CMOS Image Sensor MEMS probe card
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Application CMOS Image Sensor (CIS) DRAM
Illumination type Diffusion filter Lenz
Min. probe pitch 85㎛ 64㎛
Max. parallelism 64para / 169para (FWC type) 256para
Max. test speed 2 Gsps (3.5 Gsps under development)
Temp. range -40℃ ~ 150℃