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MEMS cantilever Type

반도체 제조 기술을 응용한 정밀 MEMS 공정 기술을 통해 3차원 형상의 MEMS cantilever probe를 구현하며, 신호의 Noise가 적고 전기적 특성이 매우 우수하여 DRAM 및 CMOS Image Sensor 등에 적용됩니다.

동시 검사 chip 수를 극대화 하여 고객의 wafer test 효율을 크게 향상 시킬 수 있으며, 특히 CMOS Image Sensor용 고 집적, 고 효율 probe card 시장을 선도하고 있습니다.


세계 최초 64para급 CMOS Image Sensor용 MEMS probe card 개발
세계 최초 169para 급 FWC(Full Wafer Contact) type CMOS Image Sensor용 MEMS probe card 개발
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Application CMOS Image Sensor (CIS) DRAM
Illumination type Diffusion filter Lenz
Min. probe pitch 85㎛ 64㎛
Max. parallelism 64para / 169para (FWC type) 256para
Max. test speed 2 Gsps (3.5 Gsps under development)
Temp. range -40℃ ~ 150℃